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Infineon Technologies BSZ011NE2LS5IATMA1
| Artikelnummer: | BSZ011NE2LS5IATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $3.19 |
| 10+ | $2.885 |
| 25+ | $2.5764 |
| 100+ | $2.3187 |
| 250+ | $2.061 |
| 500+ | $1.8034 |
| 1000+ | $1.5682 |
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Infineon Technologies BSZ011NE2LS5IATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSZ011NE2LS5IATMA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Vgs (Max) ±16V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TSDSON-8-FL Serie OptiMOS™ 5 Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1mOhm @ 20A, 10V Verlustleistung (max) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3400 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Ta), 40A (Tc) Grundproduktnummer BSZ011 -
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